IC元器件

MBT3904DW1T1G

参考价格:$0.02249-$0.03979

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列

MBT3904DW1T1G 供应商

MBT3904DW1T1G 属性参数

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA,1V
  • 功率 - 最大:150mW
  • 频率 - 转换:300MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:SC-88
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:MBT3904DW1T1GOSTR

MBT3904DW1T1G 数据手册