MBR60030CT 供应商
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MBR60030CT
品牌：IXFN 封装/批号：标准封装/21+ -
MBR60030CT
品牌：IXFN 封装/批号：EA/21+ -
MBR60030CT
品牌：IXFN 封装/批号：标准封装/22+ -
MBR60030CT
品牌：IXFN 封装/批号：标准封装/22+
MBR60030CT 属性参数
- 制造商：GeneSiC Semiconductor
- 产品：Schottky Diodes
- 峰值反向电压：30 V
- 正向连续电流：600 A
- 最大浪涌电流：4000 A
- 正向电压下降：0.75 V
- 最大反向漏泄电流：1 uA
- 工作温度范围：- 40 C to + 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：Module
- 封装：Bulk
- 工厂包装数量：25
MBR60030CT(R)