LMC662CN/NOPB 供应商
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LMC662CN/NOPB
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
LMC662CN/NOPB
品牌：NSC 封装/批号：SSOP/23+
LMC662CN/NOPB 属性参数
- 制造商：National Semiconductor (TI)
- 通道数量：2
- 共模抑制比（最小值）：62 dB
- 输入补偿电压：6 mV
- 工作电源电压：5 V, 9 V, 12 V, 15 V
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：DIP-8
- 转换速度：1.1 V/us at 5 V
- 关闭：No
- 最大工作温度：+ 70 C
- 封装：Tube
- 最小工作温度：0 C
- 工厂包装数量：40
- 电源电流：0.38 mA
- Supply Voltage - Max：15.5 V
- Supply Voltage - Min：4.75 V
- 技术：CMOS
- 电压增益 dB：126.02 dB
产品特性
- 轨到轨输出摆幅
- 适用于 2kΩ 和 600Ω 负载
- 高压增益：126dB
- 低输入失调电压：3mV
- 低失调电压漂移：1.3µV/°C
- 超低输入偏置电流：2fA
- 低电压噪声：22nV/√Hz
- 输入共模范围包括 V–
- 工作电源电压范围为 4.75V 至 15.5V
- ISS = 400µA/放大器；与 V+ 无关
- 压摆率：1.1V/µs
产品概述
双通道 LMC662
和四通道 LMC660 (LMC66x) 是 CMOS
运算放大器，由单电源供电，并采用 TI 先进的 CMOS 工艺制造。该器件的工作电压范围为 5V 至
15V，除了输入共模范围（包括接地）外，还具有轨到轨输出摆幅。本设计中不存在过去 CMOS 放大器的性能限制问题。输入失调电压
(VOS)、失调电压偏移、宽带噪声以及实际负载（2kΩ 和 600Ω）中的电压增益均等于或优于公认的双极等效值。
LMC662CN/NOPB 电路图
