IC元器件

LM5050MK-1/NOPB

参考价格：￥10.42-￥8.00

电源管理 IC

LM5050MK-1/NOPB 供应商

LM5050MK-1/NOPB 属性参数

  • 制造商：National Semiconductor (TI)
  • 产品：MOSFET Gate Drivers
  • 类型：Charge Pump Gate Driver For External N-Channel MOSFET
  • Supply Voltage - Max：75 V
  • Supply Voltage - Min：5 V
  • 电源电流：0.13 mA
  • 最大工作温度：+ 125 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TSOT-6
  • 封装：Reel
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 激励器数量：1
  • 输出端数量：1
  • 关闭时间（最大值）：486 ns
  • 工作电源电压：5 V to 75 V
  • 输出电流：3.2 uA
  • 输出电压：5 V to 75 V
  • 工厂包装数量：1000

产品特性

  • 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1（高达 150°C TJ）和 LM5050Q1MK-1（高达 125°C TJ）
  • 提供功能安全 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
  • 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
  • 宽工作输入电压范围 VIN：1V 至 75V（VIN < 5V 时需要 VBIAS）
  • 100V 瞬态电压
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
  • 针对电流反向 50ns 快速响应
  • 2A 峰值栅极关断电流
  • 超小 VDS 关断电压，可缩短关断时间
  • 封装：SOT-6（薄型 SOT-23-6）

产品概述

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作，当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源，可承受高达 100V 的瞬态电压。
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LM5050MK-1/NOPB 电路图

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