IXTN210P10T 供应商
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IXTN210P10T
品牌:IXYS/艾赛斯 封装/批号:全新原装/23+ -
IXTN210P10T
品牌:IXFN 封装/批号:标准封装/21+ -
IXTN210P10T
品牌:IXYS/艾赛斯 封装/批号:MODULE/23+ -
IXTN210P10T
品牌:IXFN 封装/批号:标准封装/22+ -
IXTN210P10T
品牌:IXFN 封装/批号:标准封装/22+ -
IXTN210P10T
品牌:IXYS 封装/批号:标准封装/24+ -
IXTN210P10T
品牌:IXYS 封装/批号:SOT-227B/18+
IXTN210P10T 属性参数
- 现有数量:212现货60Factory
- 价格:1 : ¥415.38000管件
- 系列:TrenchP?
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.5 毫欧 @ 105A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):740 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):69500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):830W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 供应商器件封装:SOT-227B
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC