ISO7021FDR 供应商
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ISO7021FDR
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+
ISO7021FDR 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥22.98000剪切带（CT）2,500 : ￥12.99809卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：容性耦合
- 类型：通用
- 隔离式电源：无
- 通道数：2
- 输入 - 侧 1/侧 2：1/1
- 通道类型：单向
- 电压 - 隔离：3000Vrms
- 共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/μs
- 数据速率：4Mbps
- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：165ns，165ns
- 脉宽失真（最大）：10ns
- 上升/下降时间（典型值）：5ns，5ns
- 电压 - 供电：1.71V ~ 1.89V，2.25V ~ 5.5V
- 工作温度：-55°C ~ 125°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC
产品特性
- 超低功耗 每通道静态电流为 4.8µA (3.3V) 100kbps 时的每通道电流为 15µA (3.3V) 1Mbps 时的每通道电流为 120µA (3.3V)
- 每通道静态电流为 4.8µA (3.3V)
- 100kbps 时的每通道电流为 15µA (3.3V)
- 1Mbps 时的每通道电流为 120µA (3.3V)
- 稳健可靠的隔离栅 预计寿命超过 100 年 隔离额定值为 3000VRMS CMTI 典型值为 ±100kV/µs
- 预计寿命超过 100 年
- 隔离额定值为 3000VRMS
- CMTI 典型值为 ±100kV/µs
- 宽电源电压范围：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
- 宽温度范围：-55°C 至 125°C
- 小型 8-SOIC 封装 (8-D)
- 信令速率：最高 4Mbps
- 默认输出高电平 (ISO7021) 和低电平 (ISO7021F) 选项
- 优异的电磁兼容性 (EMC) 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护 超低辐射
- 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
- 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
- 超低辐射
- 安全相关认证： DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) UL 1577 组件认证计划 IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 GB 4943.1 IECEx（IEC 60079-0 和 IEC 60079-11）和 ATEX（EN IEC60079-0 和 EN 60079-11）
- DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
- UL 1577 组件认证计划
- IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 GB 4943.1
- IECEx（IEC 60079-0 和 IEC 60079-11）和 ATEX（EN IEC60079-0 和 EN 60079-11）
产品概述
ISO7021 器件是一种可用于隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的超低功耗多通道 数字隔离器。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。基于边缘的创新架构与开关键控调制方案相结合，使这些隔离器具有非常低的功耗，同时符合 UL1577 规定的 3000VRMS 隔离额定值。该器件的每通道动态电流消耗低于 120µA/Mbps ，并且 3.3V 时每通道静态电流消耗为 4.8µA ，从而允许在功耗和热性能受限的系统设计中使用 ISO7021。该器件可在低至 1.71V 和高达 5.5V 的电压下工作，并可在隔离栅的每一侧采用不同电源电压的情况下实现完整功能。双通道隔离器采用窄体 8-SOIC 封装，具有一个正向通道和一个反向通道。该器件具有默认输出高电平和低电平选项。如果输入功率或信号出现损失，不具有 F 后缀的 ISO7021 器件 默认输出高电平，具有 F 后缀的 ISO7021F 器件默认输出低电平。请参阅器件功能模式 部分以了解详情。
ISO7021FDR 电路图
