IRLIB4343PBF 供应商
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IRLIB4343PBF
品牌:IR 封装/批号:管装/盘装/21+
IRLIB4343PBF 属性参数
- 典型关断延迟时间:23 ns
- 典型接通延迟时间:5.7 ns
- 典型栅极电荷@Vgs:28 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds:740 pF V @ 50
- 安装类型:通孔
- 封装类型:TO-220 Full-Pak
- 引脚数目:3
- 最低工作温度:-40 °C
- 最大功率耗散:39000 mW
- 最大栅源电压:±20 V
- 最大漏源电压:55 V
- 最大漏源电阻值:0.05
- 最大连续漏极电流:19 A
- 最高工作温度:+175 °C
- 每片芯片元件数目:1
- 类别:功率 MOSFET
- 通道模式:增强
- 通道类型:N
- 配置:单
- 高度:9.8mm