IC元器件

IRF7807TR

单 FET，MOSFET

IRF7807TR 供应商

IRF7807TR 属性参数

  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：HEXFET?
  • 包装：卷带（TR）
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.3A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 7A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：8-SO
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

IRF7807TR 相关产品