IC元器件

IPW60R190C6FKSA1

单 FET，MOSFET

IPW60R190C6FKSA1 供应商

IPW60R190C6FKSA1 属性参数

  • 现有数量：0现货
  • 价格：1 : ￥35.77000管件
  • 系列：CoolMOS?
  • 包装：管件
  • 产品状态：不适用于新设计
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20.2A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 9.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 630μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：63 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1400 pF @ 100 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：151W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：PG-TO247-3-1
  • 封装/外壳：TO-247-3

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