IPP04CN10N G 供应商
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IPP04CN10N G
品牌：infineon 封装/批号：标准封装/24+ -
IPP04CN10N G
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：/2022+
IPP04CN10N G 属性参数
- 制造商：Infineon
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：100 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：100 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.2 mOhms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 175 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-220
- 封装：Tube
- 下降时间：25 ns
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：165 S, 83 S
- 栅极电荷 Qg：210 nC
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：300000 mW
- 上升时间：78 ns
- 典型关闭延迟时间：76 ns
- 零件号别名：IPP04CN10NGXKSA1 SP000680796