IPD180N10N3G 供应商
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IPD180N10N3G
品牌：INFINEON 封装/批号：SMD/2022+ -
IPD180N10N3G
品牌：INFINEON 封装/批号：TO-252/1335+ -
IPD180N10N3GATMA1
品牌：INFINEON 封装/批号：PG-TO252-3/23+ -
IPD180N10N3GATMA1
品牌：InfineonTechnologies 封装/批号：PG-TO252-3/18+
IPD180N10N3G 属性参数
- 制造商：Infineon
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：100 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：43 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.018 Ohms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 175 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TO-252
- 封装：Reel
- 下降时间：5 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：71 W
- 上升时间：12 ns
- 典型关闭延迟时间：19 ns
- 零件号别名：IPD180N10N3GBTMA1 IPD180N10N3GXT