IPD05N03LBG 供应商
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IPD05N03LBG
品牌：InfineonTechnologies 封装/批号：PG-TO252-3/18+ -
IPD05N03LBG
品牌：infineo/ELNAF 封装/批号：TO-252/1932+
IPD05N03LBG 属性参数
- 制造商：Infineon
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：90 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.5 m Ohms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 175 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TO-252
- 封装：Reel
- 下降时间：4.6 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：94 W
- 上升时间：7 ns
- 典型关闭延迟时间：28 ns