IPD053N08N3GBTMA1 供应商
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IPD053N08N3GBTMA1
品牌：InfineonTechnologies 封装/批号：PG-TO252-3/18+
IPD053N08N3GBTMA1 属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.3 毫欧 @ 90A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 90μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：69 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4750 pF @ 40 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO252-3
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63