IC元器件

IPD053N06NATMA1

单 FET，MOSFET

IPD053N06NATMA1 供应商

IPD053N06NATMA1 属性参数

  • 现有数量：7,478现货
  • 价格：1 : ￥12.64000剪切带（CT）2,500 : ￥5.34885卷带（TR）
  • 系列：OptiMOS?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Ta），45A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.3 毫欧 @ 45A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 36μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：27 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2000 pF @ 30 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3W（Ta），83W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：PG-TO252-3
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

IPD053N06NATMA1 相关产品