IC元器件

HUF76113DK8T 供应商

HUF76113DK8T 属性参数

  • 制造商:Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:6 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.026 Ohms
  • 配置:Dual Dual Drain
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOP-8
  • 封装:Reel
  • 下降时间:40 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:2.5 W
  • 上升时间:33 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 典型关闭延迟时间:50 ns