HGT1S20N60C3S9A 供应商
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HGT1S20N60C3S9A
品牌：onsemi 封装/批号：TO-263-3/21+ -
HGT1S20N60C3S9A
品牌：ON/安森美 封装/批号：SMD/21+ -
HGT1S20N60C3S9A
品牌：ON Semiconductor 封装/批号：TO-263-3，D2Pak2 引线 + 接片，TO-263AB/23+
HGT1S20N60C3S9A 属性参数
- 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
- 标准包装：800
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：IGBT - 单路
- 系列：-
- IGBT 类型：-
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
- Vge, Ic时的最大Vce（开）：1.8V @ 15V，20A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：45A
- 功率 - 最大：164W
- 输入类型：标准型
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：TO-263AB
- 包装：带卷 (TR)