HGT1S10N120BNST 供应商
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HGT1S10N120BNST 原装现货
品牌：ON 封装/批号：/20+ -
HGT1S10N120BNST 原装现货
品牌：FSC 封装/批号：SOT263/16+ -
HGT1S10N120BNST
品牌：On Semiconductor 封装/批号：/23+ -
HGT1S10N120BNST
品牌：ORSEMI/安森美 封装/批号：D2PAK-3/TO-263-2/22+ -
HGT1S10N120BNST
品牌：ON Semiconductor 封装/批号：TO-263-3，D2Pak2 引线 + 接片，TO-263AB/23+ -
HGT1S10N120BNST
品牌：ON 封装/批号：/2021+
HGT1S10N120BNST 属性参数
- 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
- 标准包装：800
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：IGBT - 单路
- 系列：-
- IGBT 类型：NPT
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V
- Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.7V @ 15V，10A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：35A
- 功率 - 最大：298W
- 输入类型：标准型
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：TO-263AB
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：HGT1S10N120BNST-NDHGT1S10N120BNSTTR