GA35XCP12-247 供应商
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GA35XCP12-247
品牌：GeneSiCSemiconductor 封装/批号：IGBT模块/21+
GA35XCP12-247 属性参数
- 制造商：GeneSiC Semiconductor
- 产品：IGBT Silicon Carbide Modules
- 配置：Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
- 集电极—射极饱和电压：3 V
- 在25 C的连续集电极电流：35 A
- 栅极—射极漏泄电流：500 nA
- 最大工作温度：+ 150 C
- 封装 / 箱体：TO-247AB
- 封装：Bulk
- 最小工作温度：- 40 C
- 安装风格：Through Hole