IC元器件

FGH75T65UPD

参考价格:¥21.39-¥45.06

Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管

FGH75T65UPD 供应商

FGH75T65UPD 属性参数

  • 制造商:Fairchild Semiconductor
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V
  • 集电极—射极饱和电压:2.3 V
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 在25 C的连续集电极电流:150 A
  • 栅极—射极漏泄电流:400 nA
  • 功率耗散:187 W
  • 封装 / 箱体:TO-247
  • 封装:Tube
  • 安装风格:Through Hole