IC元器件

ECH8697R-TL-W

FET、MOSFET 阵列

ECH8697R-TL-W 供应商

ECH8697R-TL-W 属性参数

  • 现有数量：4,574现货
  • 价格：1 : ￥4.93000剪切带（CT）3,000 : ￥1.90005卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 配置：2 N 沟道（双）共漏
  • FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）：24V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.6 毫欧 @ 5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
  • 功率 - 最大值：1.5W
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装：SOT-28FL/ECH8

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