DTD723YMT2L 供应商
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DTD723YMT2L
品牌：ROHM/ELNAF 封装/批号：VMT3/1901+
DTD723YMT2L 属性参数
- 标准包装：8,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
- 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：2.2k
- 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10k
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：140 @ 100mA，2V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 2.5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
- 频率 - 转换：260MHz
- 功率 - 最大：150mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-723
- 供应商设备封装：VMT3
- 包装：带卷 (TR)
DTD723YMT2L