IC元器件

DTC123EM3T5G

参考价格:$0.072

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

DTC123EM3T5G 供应商

DTC123EM3T5G 属性参数

  • 标准包装:8,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧):2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):2.2k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):8 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 5mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):500nA
  • 频率 - 转换:-
  • 功率 - 最大:260mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-723
  • 供应商设备封装:SOT-723
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:DTC123EM3T5G-NDDTC123EM3T5GOSTR