DMN1150UFB-7B 供应商
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DMN1150UFB-7B
品牌:DIODES 封装/批号:/2021+ -
DMN1150UFB-7B
品牌:DIODES 封装/批号:TSSOP/23+
DMN1150UFB-7B 属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:1 : ¥3.50000剪切带(CT)10,000 : ¥0.52622卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.41A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):150 毫欧 @ 1A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):1.5 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):106 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):500mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
- 封装/外壳:3-UFDFN