CSD88599Q5DC 供应商
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CSD88599Q5DC
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD88599Q5DC
品牌：TI 封装/批号：VSON22/24+ -
CSD88599Q5DC
品牌： 封装/批号：TSSOP/23+ -
CSD88599Q5DCT
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：SON-22/2022+
CSD88599Q5DC 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥31.64000剪切带（CT）2,500 : ￥17.88728卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：27nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4840pF @ 30V
- 功率 - 最大值：12W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：22-PowerTFDFN
- 供应商器件封装：22-VSON-CLIP（5x6）
产品特性
- 半桥电源块
- 高密度 5mm × 6mm SON 封装
- 低 RDS(ON)，可实现最小的传导损耗 电流为 30A 时，PLoss 为 3.0W
- 电流为 30A 时，PLoss 为 3.0W
- DualCool™热增强型封装
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
产品概述
CSD88599Q5DC 60V 电源块是用于高电流电机控制应用的经优化设计，这些 应用包括手持无线园艺和电动工具等。该器件利用 TI 的堆叠裸片技术，以最大限度地减小寄生电感，同时在节省空间的热增强型 DualCool™5mm × 6mm 封装中提供完整的半桥。利用外露的金属顶部，该电源块器件允许简单散热应用将热量从封装顶部吸收并将其从 PCB 带走，从而在许多电机控制应用所要求的较高电流下，实现出色的热 性能。
CSD88599Q5DC 电路图
