CSD88584Q5DCT 供应商
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CSD88584Q5DCT
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD88584Q5DCT
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：VSON-CLIP-22/2022+
CSD88584Q5DCT 属性参数
- 现有数量：0现货250Factory查看交期
- 价格：1 : ￥34.26000剪切带（CT）250 : ￥23.91396卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.95 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：88nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：12400pF @ 20V
- 功率 - 最大值：12W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：22-PowerTFDFN
- 供应商器件封装：22-VSON-CLIP（5x6）
产品特性
- 半桥电源块
- 高密度 5mm × 6mm SON 封装
- 低 R DS(ON)，可更大限度地降低传导损耗 电流为 35A 时，P Loss 为 2.4W
- 电流为 35A 时，P Loss 为 2.4W
- DualCool™ 散热增强型封装
- 超低电感封装
- 符合 RoHS
- 无卤素
- 无铅端子镀层
产品概述
CSD88584Q5DC 40V 电源块是一款针对手持设备、无绳园艺工具和电动工具等高电流电机控制应用的优化设计。该器件利用 TI 获得专利的堆叠裸片技术来更大限度地减小寄生电感，同时采用节省空间的散热增强型 DualCool™ 5mm × 6mm 封装，可提供完整半桥。利用外露的金属顶部，该电源块器件允许简单散热应用通过封装顶部散发 PCB 热量，从而在许多电机控制应用所要求的较高电流下，实现出色的热性能。