CSD88537NDT 供应商
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CSD88537NDT
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD88537NDT
品牌：TI 封装/批号：原封/23+
CSD88537NDT 属性参数
- 现有数量：5,374现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥12.56000剪切带（CT）250 : ￥8.20428卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1400pF @ 30V
- 功率 - 最大值：2.1W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 用于电机控制的半桥
- 同步降压转换器
产品概述
这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。
CSD88537NDT 电路图
