IC元器件

CSD88537ND

Texas Instruments FET、MOSFET 阵列

CSD88537ND 供应商

CSD88537ND 属性参数

  • 现有数量：3,359现货10,000Factory
  • 价格：1 : ￥10.49000剪切带（CT）2,500 : ￥4.76994卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 配置：2 N-通道（双）
  • FET 功能：-
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 8A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1400pF @ 30V
  • 功率 - 最大值：2.1W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SOIC

产品特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 用于电机控制的半桥
  • 同步降压转换器

产品概述

这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。
查看全部

CSD88537ND 电路图

CSD88537ND 相关产品