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CSD87502Q2 供应商

CSD87502Q2 属性参数

  • 现有数量:76,248现货9,000Factory
  • 价格:1 : ¥4.53000剪切带(CT)3,000 : ¥1.81104卷带(TR)
  • 系列:NexFET?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):32.4 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):6nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):353pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:2.3W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:6-WSON(2x2)

产品特性

  • 低导通电阻
  • 两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动器而优化
  • 雪崩级
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
  • 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
  • 电池保护

产品概述

CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET,采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置,适用于同步降压等电源 应用。此外,这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大限度地降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型 应用。

CSD87502Q2 电路图

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