CSD87333Q3DT 供应商
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CSD87333Q3DT
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD87333Q3DT
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：VSON-8/2022+
CSD87333Q3DT 属性参数
- 现有数量：325现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥12.00000剪切带（CT）250 : ￥7.81124卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能：逻辑电平栅极，5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：14.3 毫欧 @ 4A，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.6nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：662pF @ 15V
- 功率 - 最大值：6W
- 工作温度：125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：8-VSON（3.3x3.3）
产品特性
- 半桥电源块
- 针对高占空比进行了优化
- 高达 24 Vin
- 电流 8A 时，系统效率达到 94.7%
- 电流 8A 时，PLoss 1.5W
- 工作电流高达 15A
- 高频工作（高达 1.5MHz）
- 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 开关损耗较低
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
产品概述
CSD87333Q3D NexFET™电源块是面向同步降压和升压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，在与外部控制器或驱动器配合使用时， 可在高占空比应用中 提供灵活的解决方案
CSD87333Q3DT 数据手册
CSD87333Q3DT
CSD87333Q3DT 电路图
