IC元器件

CSD87313DMS

Texas Instruments FET、MOSFET 阵列

CSD87313DMS 供应商

CSD87313DMS 属性参数

  • 现有数量：0现货10,000Factory查看交期
  • 价格：2,500 : ￥6.92834卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 配置：2 N 沟道（双）共漏
  • FET 功能：-
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：28nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4290pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装：8-WSON（3.3x3.3）

产品特性

  • 低源极至源极导通电阻
  • 双共漏极 N 通道 MOSFET
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

产品概述

CSD87313DMS 是一款 30V 共漏极、双路 N 通道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3mm × 3.3mm SON 器件具有低源极至源极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的 应用。
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CSD87313DMS 电路图

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