IC元器件

CSD87312Q3E

Texas Instruments FET、MOSFET 阵列

CSD87312Q3E 供应商

CSD87312Q3E 属性参数

  • 现有数量：2,923现货10,000Factory
  • 价格：1 : ￥12.40000剪切带（CT）2,500 : ￥6.32017卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 配置：2 N 沟道（双）共源
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：27A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：33 毫欧 @ 7A，8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1250pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：2.5W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装：8-VSON（3.3x3.3）

产品特性

  • 共源连接
  • 超低漏极到漏极导通电阻
  • 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素

产品概述

CSD87312Q3E 是一款设计用于适配器 / USB 输入保护的 30V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻，这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。R=63°C/W，这是在厚度为 0.060" 的环氧板印刷电路板 (FR4PCB) 上 1 in²（2 盎司）铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2% 。
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CSD87312Q3E 电路图

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