IC元器件

CSD86360Q5D

Texas Instruments FET、MOSFET 阵列

CSD86360Q5D 供应商

CSD86360Q5D 属性参数

  • 现有数量：16,580现货10,000Factory
  • 价格：1 : ￥21.62000剪切带（CT）2,500 : ￥11.01332卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 配置：2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2060pF @ 12.5
  • 功率 - 最大值：13W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：8-PowerLDFN
  • 供应商器件封装：8-LSON（5x6）

产品特性

  • 半桥电源块
  • 25A 电流下系统效率高达 91%
  • 运行电流高达 50A
  • 高频工作（高达 1.5MHz）
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层

产品概述

CSD86360Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。
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CSD86360Q5D 电路图

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