CSD86336Q3D 供应商
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CSD86336Q3D
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+
CSD86336Q3D 属性参数
- 现有数量：0现货10,000Factory查看交期
- 价格：2,500 : ￥5.86703卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：逻辑电平栅极，5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA，1.6V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V
- 功率 - 最大值：6W
- 工作温度：-55°C ~ 125°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：8-VSON（3.3x3.3）
产品特性
- 半桥电源块
- 12A 电流下系统效率高达 93.0%
- 工作电流高达 20A
- 高频工作（高达 1.5MHz）
- 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 开关损耗较低
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
产品概述
CSD86336Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。
CSD86336Q3D 电路图
