CSD85301Q2T 供应商
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CSD85301Q2T
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD85301Q2T
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：WSON-FET-6/2022+
CSD85301Q2T 属性参数
- 现有数量：0现货10,000Factory查看交期
- 价格：1 : ￥8.90000剪切带（CT）250 : ￥5.79420卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平栅极，5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.4nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：469pF @ 10V
- 功率 - 最大值：2.3W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：6-WSON（2x2）
产品特性
- 低导通电阻
- 两个独立的 MOSFET
- 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
- 针对 5V 栅极驱动器而优化
- 雪崩级
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 环保标准
- 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
- 电池保护
产品概述
CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 通道器件，它具有两个独立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。 这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。 此外，该部件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。 两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大程度降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。
CSD85301Q2T