CSD83325L 属性参数
- 现有数量：2现货9,000Factory
- 价格：1 : ￥4.85000剪切带（CT）3,000 : ￥1.83643卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）共漏
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：12V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10.9nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
- 功率 - 最大值：2.3W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-XFBGA
- 供应商器件封装：6 PicoStar
产品特性
- 共漏极配置
- 低导通电阻
- 2.2mm x 1.15mm 的小尺寸
- 无铅
- 符合 RoHS
- 无卤素
- 栅极 ESD 保护
产品概述
这款 12V、9.9mΩ、2.2mm x 1.15mm LGA 双路 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在以小巧封装更大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件尺寸小巧并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备的电池包应用。
CSD83325L