CSD75208W1015T 供应商
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CSD75208W1015T
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD75208W1015T
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：DSBGA-6/2022+
CSD75208W1015T 属性参数
- 现有数量：7,642现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥8.59000剪切带（CT）250 : ￥5.58908卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 P 沟道（双）共源
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：68 毫欧 @ 1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：410pF @ 10V
- 功率 - 最大值：750mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-UFBGA，DSBGA
- 供应商器件封装：6-DSBGA（1x1.5）
产品特性
- 双路 P 通道 MOSFET
- 共源配置
- 1.5mm x 1mm 小尺寸封装
- 栅极 - 源电压钳位
- 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
产品概述
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型低厚度封装结合在一起，使得此器件成为电池供电运行空间受限应用的 理想选择。
CSD75208W1015T 电路图
