CSD25501F3T 供应商
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CSD25501F3T
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+
CSD25501F3T 属性参数
- 现有数量：23,746现货2,500Factory
- 价格：1 : ￥6.76000剪切带（CT）250 : ￥4.38324卷带（TR）
- 系列：FemtoFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：76 毫欧 @ 400mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.05V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.33 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：-20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：385 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：3-LGA（0.73x0.64）
- 封装/外壳：3-XFLGA
产品特性
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸 0.7mm × 0.6mm
- 0.7mm × 0.6mm
- 薄型 最大高度为 0.22mm
- 最大高度为 0.22mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
产品概述
此 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。
CSD25501F3T 电路图
