CSD25481F4T 供应商
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CSD25481F4T
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD25481F4T
品牌：TI 封装/批号：TSSOP/23+
CSD25481F4T 属性参数
- 现有数量：16,255现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥6.68000剪切带（CT）250 : ￥4.37564卷带（TR）
- 系列：FemtoFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：88 毫欧 @ 500mA，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.91 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：-12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：189 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：3-PICOSTAR
- 封装/外壳：3-XFDFN
产品特性
- 超低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 高漏极工作电流
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸） 1mm × 0.6mm
- 1mm × 0.6mm
- 超薄型封装 最大厚度为 0.36mm
- 最大厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM) 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
- 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM)
- 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
产品概述
该 90mΩ、20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。 。 . .
CSD25481F4T 数据手册
CSD25481F4T
CSD25481F4T 电路图
