IC元器件

CSD25404Q3

Texas Instruments 单 FET，MOSFET

CSD25404Q3 供应商

CSD25404Q3 属性参数

  • 现有数量：5,093现货10,000Factory
  • 价格：1 : ￥8.74000剪切带（CT）2,500 : ￥3.95905卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：104A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.5 毫欧 @ 10A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.15V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14.1 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2120 pF @ 10 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），96W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：8-VSONP（3x3.15）
  • 封装/外壳：8-PowerVDFN

产品特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 低 RDS(on)
  • 无卤素
  • 符合 RoHS 标准
  • 无铅引脚镀层
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
  • 直流-直流转换器
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

产品概述

这款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装，可提供出色的封装散热性能。
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CSD25404Q3 电路图

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