CSD25310Q2T 供应商
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CSD25310Q2T
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+
CSD25310Q2T 属性参数
- 现有数量：22,566现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥8.82000剪切带（CT）250 : ￥5.72616卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：23.9 毫欧 @ 5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.7 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：655 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.9W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：6-WSON（2x2）
- 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低导通电阻
- 低热阻
- 无铅
- 符合 RoHS
- 无卤素
- SON 2mm × 2mm 塑料封装
产品概述
这款 19.9mΩ、–20V P 沟道器件旨在以超薄且具有出色散热特性的极小封装提供更低的导通电阻和栅极电荷。该器件将低导通电阻与 SON 2mm × 2mm 塑料封装的极小封装尺寸融为一体，堪称电池供电型空间受限应用的理想之选。
CSD25310Q2T 电路图
