IC元器件

CSD25304W1015

Texas Instruments 单 FET，MOSFET

CSD25304W1015 供应商

CSD25304W1015 属性参数

  • 现有数量：0现货9,000Factory查看交期
  • 价格：1 : ￥3.97000剪切带（CT）3,000 : ￥1.41707卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：32.5 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.15V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：595 pF @ 10 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：750mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：6-DSBGA（1x1.5）
  • 封装/外壳：6-UFBGA，DSBGA

产品特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 小封装尺寸
  • 低高度（高度为 0.62mm）
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

产品概述

这款 27mΩ，20V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
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CSD25304W1015 数据手册

CSD25304W1015 电路图

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