CSD25213W10 供应商
-
CSD25213W10
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+
CSD25213W10 属性参数
- 现有数量：14,043现货9,000Factory
- 价格：1 : ￥3.58000剪切带（CT）3,000 : ￥1.01004卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：47 毫欧 @ 1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.9 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：-6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：478 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：4-DSBGA（1x1）
- 封装/外壳：4-UFBGA，DSBGA
产品特性
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 小尺寸封装 1mm x 1mm
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 栅 - 源电压钳位
- 栅极静电放电 (ESD) 保护
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
产品概述
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。
CSD25213W10 电路图
