IC元器件

CSD25202W15T

Texas Instruments 单 FET，MOSFET

CSD25202W15T 供应商

CSD25202W15T 属性参数

  • 现有数量：1,450现货10,000Factory
  • 价格：1 : ￥9.62000剪切带（CT）250 : ￥6.28996卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 2A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.05V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）：-6V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1010 pF @ 10 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：9-DSBGA
  • 封装/外壳：9-UFBGA，DSBGA

产品特性

  • 低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位
  • 电池管理
  • 电池保护

产品概述

这款 21mΩ，20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
查看全部

CSD25202W15T 数据手册

CSD25202W15T 电路图

CSD25202W15T 相关产品