CSD25202W15 供应商
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CSD25202W15
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD25202W15
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：DSBGA-9/2022+
CSD25202W15 属性参数
- 现有数量：0现货9,000Factory查看交期
- 价格：1 : ￥4.77000剪切带（CT）3,000 : ￥1.90798卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 2A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.05V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：-6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1010 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：9-DSBGA
- 封装/外壳：9-UFBGA，DSBGA
产品特性
- 低电阻
- 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
- 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 栅 - 源电压钳位
- 电池管理
- 电池保护
产品概述
这款 21mΩ，20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
CSD25202W15 数据手册
CSD25202W15
CSD25202W15 电路图
