IC元器件

CSD23382F4

Texas Instruments 单 FET，MOSFET

CSD23382F4 供应商

CSD23382F4 属性参数

  • 现有数量：75,552现货9,000Factory
  • 价格：1 : ￥3.58000剪切带（CT）3,000 : ￥0.79420卷带（TR）
  • 系列：FemtoFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：76 毫欧 @ 500mA，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.35 nC @ 6 V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：235 pF @ 6 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：3-PICOSTAR
  • 封装/外壳：3-XFDFN

产品特性

  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸） 1.0mm × 0.6mm
  • 1.0mm × 0.6mm
  • 薄型封装 最大高度为 0.36mm
  • 最大高度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管 额定值 > 2kV HBM 额定值 > 2kV CDM
  • 额定值 > 2kV HBM
  • 额定值 > 2kV CDM
  • 铅端子镀层
  • 无卤素
  • 符合 RoHS

产品概述

此 66mΩ、12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。 . . .
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CSD23382F4 数据手册

CSD23382F4 电路图

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