CSD23285F5 供应商
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CSD23285F5
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD23285F5
品牌：TI 封装/批号：/23+ -
CSD23285F5
品牌：TI 封装/批号：TSSOP/23+ -
CSD23285F5T
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：PICOSTAR-3/2022+
CSD23285F5 属性参数
- 现有数量：21,438现货9,000Factory
- 价格：1 : ￥3.97000剪切带（CT）3,000 : ￥1.14121卷带（TR）
- 系列：FemtoFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.4A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：35 毫欧 @ 1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.2 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：-6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：628 pF @ 6 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：3-PICOSTAR
- 封装/外壳：3-XFDFN
产品特性
- 低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸 1.53mm x 0.77mm 0.50mm 焊盘间距
- 1.53mm x 0.77mm
- 0.50mm 焊盘间距
- 薄型封装 厚度为 0.36mm
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM) 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
- 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
- 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
产品概述
该 29mΩ、-12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
CSD23285F5 电路图
