CSD23203W 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥3.90000剪切带（CT）3,000 : ￥1.36778卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：8 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：19.4 毫欧 @ 1.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.3 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：-6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：914 pF @ 4 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：750mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：6-DSBGA（1x1.5）
- 封装/外壳：6-UFBGA，DSBGA
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低导通电阻 RDS(on)
- 小尺寸
- 低厚度，0.62mm 高
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- CSP 1mm × 1.5mm 晶圆级封装
产品概述
这款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计，能够以具有出色散热特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。
CSD23203W 数据手册
CSD23203WT
CSD23203W 电路图
