CSD22205L 属性参数
- 现有数量：13,802现货
- 价格：1 : ￥4.05000剪切带（CT）3,000 : ￥1.44171卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：8 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.4A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.9 毫欧 @ 1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.05V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：-6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1390 pF @ 4 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：600mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：4-PICOSTAR
- 封装/外壳：4-XFLGA
产品特性
- 低电阻
- 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装
- 0.36mm 厚，超薄型
- 无铅
- 栅源电压钳位
- 栅极 ESD 保护
- 符合 RoHS
- 无卤素
产品概述
这款 -8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供更低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板（而非焊球）的器件芯片级封装。
CSD22205L 电路图
