CSD19538Q3AT 供应商
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CSD19538Q3AT
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+
CSD19538Q3AT 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥9.62000剪切带（CT）250 : ￥6.25560卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：59 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：454 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），23W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSONP（3x3.3）
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
产品概述
这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。
CSD19538Q3AT 电路图
