IC元器件

CSD19538Q2T

Texas Instruments 单 FET，MOSFET

CSD19538Q2T 供应商

CSD19538Q2T 属性参数

  • 现有数量：438现货10,000Factory
  • 价格：1 : ￥9.54000剪切带（CT）250 : ￥6.20444卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13.1A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：59 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.6 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：454 pF @ 50 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），20.2W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：6-WSON（2x2）
  • 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

产品特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

产品概述

这款 100V、49mΩ、采用 2mm × 2mm SON 封装的 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
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CSD19538Q2T 电路图

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